Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 165-6917
Herst. Teile-Nr.:: SI3477DV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:: 165-6917
Herst. Teile-Nr.:: SI3477DV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si3477DV, P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	TSOP-6
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	33 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	4,2 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	58 nC @ 10 V
Länge	3.1mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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