Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 236 mW, 6-Pin SC-89-6

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3041
Herst. Teile-Nr.:
SI1070X-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SC-89-6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

140 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

236 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

1.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,8 nC @ 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.2mm

Höhe

0.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
PH

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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