Vishay SI1070X-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 236 mW, 6-Pin SC-89-6

RS Best.-Nr.:: 159-6520
Herst. Teile-Nr.:: SI1070X-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI1070X-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 236 mW, 6-Pin SC-89-6

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RS Best.-Nr.:: 159-6520
Herst. Teile-Nr.:: SI1070X-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si1070X, N-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,2 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SC-89-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	140 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
Verlustleistung max.	236 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	1.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,8 nC @ 4,5 V
Breite	1.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.6mm

Vishay SI1070X-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,2 A 236 mW, 6-Pin SC-89-6

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

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