Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 300 mW, 3-Pin SC-75

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3031
Herst. Teile-Nr.:
SI1032X-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

200 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SC-75

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.4V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-6 V, +6 V

Länge

1.7mm

Breite

0.95mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

750 nC @ 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

0.8mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
PH

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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