Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 300 mW, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 812-3031
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1032X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 812-3031
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1032X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 300 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -6 V, +6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 0.95mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 750 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 300 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -6 V, +6 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 0.95mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 750 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.8mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal 3-Pin SC-75
- Vishay Si1012CR Typ N-Kanal 3-Pin SC-75
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 3-Pin SC-75
- Vishay N-Kanal2 A 236 mW, 6-Pin SC-89-6
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6
- Vishay SIB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 6 V / 6 A 1 W PowerPAK SC-75
- onsemi NTA4001N Typ N-Kanal 3-Pin SC-75
- onsemi NTA7002N Typ N-Kanal 3-Pin SC-75