Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 300 mW, 3-Pin SC-75

RS Best.-Nr.:: 812-3031
Herst. Teile-Nr.:: SI1032X-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 300 mW, 3-Pin SC-75

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RS Best.-Nr.:: 812-3031
Herst. Teile-Nr.:: SI1032X-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si1032R/X, N-Channel 1.5V (G-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	200 mA
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SC-75
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	300 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-6 V, +6 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	750 nC @ 4,5 V
Länge	1.7mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	0.95mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	0.8mm

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 300 mW, 3-Pin SC-75

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor

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