Vishay SI1032X-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 300 mW, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 170-8322
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1032X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 01.10.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,126 €
(ohne MwSt.)
0,15 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,126 € | 378,00 € |
| 6000 + | 0,123 € | 369,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 170-8322
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1032X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SC-75 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 300 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -6 V, +6 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 750 nC @ 4,5 V |
| Breite | 0.95mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 1.7mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.8mm |
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