Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 310 mA 250 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 826-9991
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-427
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS223PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 310mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.25mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.25mm | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS MOSFET der P-Serie, 310 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 250 mW maximale Verlustleistung - BSS223PWH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein wesentliches Element in elektronischen Schaltungen und dient in zahlreichen Anwendungen als Schalter oder Verstärker. Sein P-Kanal-Design und seine Enhancement-Mode-Eigenschaften ermöglichen eine effiziente Stromsteuerung in oberflächenmontierten elektronischen Systemen. Aufgrund seiner Hochtemperaturfähigkeit eignet sich das Bauteil für Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen es auf Leistung unter extremen Bedingungen ankommt.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbessert die Effizienz durch einen niedrigen Einschaltwiderstand von 1,2Ω
• Unterstützt Hochtemperaturbetrieb bis zu 150°C
• Bietet robuste Leistung mit einer maximalen Spannung von 20 V
• Geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit minimalen Verzögerungszeiten
• Entspricht den AEC-Q101-Normen für Automobilanwendungen
• Beständiger Betrieb mit niedriger Gate-Ladung
Anwendungsbereich
• Antriebslasten im Automobilbau
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge
• Implementiert in Stromversorgungsschaltungen für die Unterhaltungselektronik
• Wird in Verstärkern für Audio- und elektronische Geräte verwendet
• Einsatz in verschiedenen Automatisierungssystemen, die effizientes Schalten erfordern
Wie hoch ist der maximale Strom, den das Bauteil verarbeiten kann?
Der maximale kontinuierliche Drain-Strom beträgt 310 mA bei 25 °C und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter bestimmten Bedingungen.
Wie wird dieses Bauteil für Hochtemperaturumgebungen optimiert?
Er ist für Betriebstemperaturen von bis zu +150 °C ausgelegt und eignet sich daher für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen.
Für welche Art der Montage ist dieser Transistor geeignet?
Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, was seine Integration in kompakte elektronische Systeme erleichtert.
Entspricht es irgendwelchen Automobilstandards?
Ja, es ist nach AEC-Q101 qualifiziert und erfüllt die strengen Zuverlässigkeitsstandards für Automobilanwendungen.
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P
Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.
Enhancement-Modus
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Schalt- und Leitungsverluste
Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform
Standardgehäuse
P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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