Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 500 mW, 3-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
165-5865
Herst. Teile-Nr.:
BSS214NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.8nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

0.8mm

Breite

1.25 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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