Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 826-9945
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)*
47,00 €
(ohne MwSt.)
56,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 500 + | 0,094 € | 47,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9945
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.25mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.25mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 150 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS84PWH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für kompakte Oberflächenmontageanwendungen in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er steuert und schaltet kleine Ströme bei moderaten Spannungen und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 60 V ermöglicht eine Schaltleistung bei mittlerer Spannung
• 150 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch
• 25 Ω maximaler Rds reduziert Verluste beim Schalten leichter Lasten
• 300 mW Verlustleistung ermöglichen eine dauerhafte Wärmemanagement
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Treiber-Ebenen
• 1 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnelles, energiesparendes Schalten
• 150 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Schaltkreise mit geringem Stromverbrauch
• 25 Ω maximaler Rds reduziert Verluste beim Schalten leichter Lasten
• 300 mW Verlustleistung ermöglichen eine dauerhafte Wärmemanagement
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Treiber-Ebenen
• 1 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnelles, energiesparendes Schalten
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Kfz-Steuermodulen
• Ideal für die Pegelverschiebung in Sensorschnittstellenkreisen
• Wird mit Batteriemanagement für Niedrigstrompfade verwendet
• Kann für die Schutzeinschaltung in Telematikgeräten verwendet werden
• Geeignet für kompakte Strompfade in der Unterhaltungselektronik
• Ideal für die Pegelverschiebung in Sensorschnittstellenkreisen
• Wird mit Batteriemanagement für Niedrigstrompfade verwendet
• Kann für die Schutzeinschaltung in Telematikgeräten verwendet werden
• Geeignet für kompakte Strompfade in der Unterhaltungselektronik
Welchen Umgebungsbereich kann er in eingebauten Systemen tolerieren?
Er arbeitet von -55 °C bis 150 °C und deckt verlängerte Kaltstart- und Hochtemperaturbedingungen unter der Motorhaube ab.
Welches Gehäuse eignet sich für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte?
Es wird in einem SC‐70-Dreipol-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine Grundfläche von 1,25 x 2 mm für enge Abstände zwischen den Komponenten bietet.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Antriebsanforderungen aus?
Mit einem typischen Qg von 1 nC können Standard-Schwachstromtreiber schnell und mit minimalem Energieverbrauch umschalten.
Ist er mit den Zuverlässigkeitsstandards der Automobilindustrie kompatibel?
Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation, die für viele elektronische Fahrzeug-Subsysteme geeignet ist.