onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.3 A 350 mW, 3-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
163-1142
Herst. Teile-Nr.:
NTS4173PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Durchlassspannung Vf

-1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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