onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.37 A 329 mW, 3-Pin SC-70

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780-4767
Herst. Teile-Nr.:
NTS4101PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.37A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

329mW

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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