- RS Best.-Nr.:
- 780-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS4173PT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 1,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-323 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Verlustleistung max. | 350 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.35mm |
Länge | 2.2mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10,1 nC @ 10 V, 4,8 nC @ 4,5 V |
Höhe | 0.9mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 780-4761
- Herst. Teile-Nr.:
- NTS4173PT1G
- Marke:
- onsemi
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