onsemi N+P Lastschalter Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 8 V Erweiterung / 1.3 A 400 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
780-0605
Herst. Teile-Nr.:
NTJD1155LT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

320mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

N+P Lastschalter

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Eigenschaften und Vorteile:


• ESD-Schutz

• P-Kanal-Lastschalter mit extrem niedrigen Rds

• V-Bereich von 1,8-8,0 V

• EIN/AUS-Bereich - 1,5 bis 8,0 V

• SOT 363-Gehäuse

• Antrieb von Lasten bis zu 1,3 A mit 8 V.

Anwendungen:


• Hochspannungsseiten-Lastschalter mit Pegelverschiebung

• Mobiltelefone

• Digitalkameras

• PDAs

• Media-Player

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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