DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 1.3 A 400 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
122-3313
Herst. Teile-Nr.:
DMN3190LDW-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

335mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.9nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Breite

1.35 mm

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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