ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-323

RS Best.-Nr.:: 124-6837
Herst. Teile-Nr.:: RUC002N05T116
Marke:: ROHM

ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-323

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	200 mA
Drain-Source-Spannung max.	50 V
Gehäusegröße	SOT-323
Serie	RUC002N05
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	7,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Gate-Schwellenspannung min.	0.3V
Verlustleistung max.	350 mW
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.1mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.15mm

RS Best.-Nr.:: 124-6837
Herst. Teile-Nr.:: RUC002N05T116
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ROHM RUC002N05 RUC002N05T116 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 350 mW, 3-Pin SOT-323

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