Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 330 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 145-8801
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS83PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
165,00 €
(ohne MwSt.)
195,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 33.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,055 € | 165,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,052 € | 156,00 € |
| 15000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-8801
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS83PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 330mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.38nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 330mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.38nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 3 Ω maximaler Drain-Source-Widerstand – BSS83PH6327XTSA1
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Schalttransistor, der für kompakte Leistungssteuerungsfunktionen in elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das für das Schalten mit niedrigem Strom in Systemen geeignet ist, die einen breiten Betriebstemperaturbereich und die Kompatibilität mit Anforderungen der Automobilindustrie erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 60 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• Maximale Rds von 3 Ω reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 330 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt das Schalten von Kleinsignalen
• Die typische Gate-Ladung von 2,38 nC sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebspegel
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für die Automobilelektronik
• Maximale Rds von 3 Ω reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• 330 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt das Schalten von Kleinsignalen
• Die typische Gate-Ladung von 2,38 nC sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebspegel
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für die Automobilelektronik
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Batteriemanagement- und Lasttrennschaltkreise
• Ideal für Signalumschaltung in Kfz-Sensorschnittstellen
• Wird mit Low-Power-Regler und Power-Rail-Schaltstufen verwendet
• Kann zum Verpolungsschutz in kompakten Geräten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Prototypen und dichte Leiterplatten-Layouts
• Ideal für Signalumschaltung in Kfz-Sensorschnittstellen
• Wird mit Low-Power-Regler und Power-Rail-Schaltstufen verwendet
• Kann zum Verpolungsschutz in kompakten Geräten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Prototypen und dichte Leiterplatten-Layouts
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im realen Einsatz tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstartumgebungen als auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen, ohne die grundlegende Funktionalität zu beeinträchtigen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und das Layout auf Board-Ebene aus?
Das oberflächenmontierbare SOT-23-Gehäuse ist kompakt und eignet sich für die automatische Platzierung, da es einen geringen Abstand zwischen den Komponenten und eine vereinfachte Wärmeleitung zur Leiterplatte ermöglicht.
Welche Verlustleistung sollten Entwickler unter normalen Bedingungen erwarten?
Das Gerät hat eine maximale Verlustleistung von 360 mW, die bei thermischen Berechnungen und Thermopad-Design berücksichtigt werden sollte, um eine Überhitzung zu verhindern.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung der Komponente auf die Schaltleistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 2,38 nC minimiert die erforderliche Gate-Antriebsenergie, verbessert die Schaltgeschwindigkeit und reduziert den Treiberstrom für Niederfrequenz- oder Impulsanwendungen.
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Microchip N-Kanal 5-Pin SOT-23
- onsemi NDS0605 Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23