Microchip LND01K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 9 V / 330 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 178-5338
Herst. Teile-Nr.:: LND01K1-G
Marke:: Microchip

Microchip LND01K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 9 V / 330 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 178-5338
Herst. Teile-Nr.:: LND01K1-G
Marke:: Microchip

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	330 mA
Drain-Source-Spannung max.	9 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	5
Drain-Source-Widerstand max.	1,4 Ω
Channel-Modus	Depletion
Verlustleistung max.	360 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +0,6 V
Breite	1.75mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	3.05mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+125 °C
Höhe	1.3mm
Betriebstemperatur min.	–25 °C

Microchip LND01K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 9 V / 330 mA 360 mW, 5-Pin SOT-23

MOSFET-Transistoren, N-Kanal, LND01

Merkmale

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