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    onsemi BSS138 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 220 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

    onsemi
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    671-0324
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    BSS138
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    onsemi
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    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


    Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.


    MOSFET-Transistoren, ON Semi


    On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
    On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.220 mA
    Drain-Source-Spannung max.50 V
    GehäusegrößeSOT-23
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.3,5 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.1.5V
    Gate-Schwellenspannung min.0.8V
    Verlustleistung max.360 mW
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Gate-Ladung typ. @ Vgs1,7 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite1.3mm
    Länge2.92mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe0.93mm
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