Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 620 mA 0.5 W, 3-Pin SC-59

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Schalt- und Signalsteuerung in kompakten Baugruppen zur Oberflächenmontage entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine geringe Dauerstrombelastbarkeit und geringe Verlustleistung in einem kleinen SC‐59-Gehäuse erfordern. Die Komponente eignet sich, wenn ein Schaltelement mit niedriger Gate-Ladung und eine unkomplizierte Gate-Drive-Fähigkeit erforderlich sind.

• Maximale Ablassspannung von 60 V ermöglicht Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• 800 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei geringen Strömen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,62 A unterstützt Kleinsignallasten
• Die typische Gate-Ladung von 6 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 0,5 W Verlustleistung eignet sich für oberflächenmontierte Designs mit geringem Stromverbrauch
• Bemessung von -55 °C bis 150 °C für erweiterte Temperaturumgebungen

• Wird für Batterieschutzschaltungen mit niedriger Spannung verwendet
• Geeignet für die Umschaltung des Strompfads tragbarer Geräte
• Ideal für die Steuerung der Signalpegel-Polarität in Modulen
• Kann für kleine Motorantriebs-Gate-Stufen verwendet werden
• Verwendung mit thermisch begrenzten SMD-Baugruppen

Das Gate kann bis zu ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, sodass sichergestellt ist, dass die Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieses Spannungsbereichs bleiben.

Die Verlustgrenze von 0,5 W begrenzt den Strom bei hohen Umgebungstemperaturen

Er wird in einem oberflächenmontierten SC‐59-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, sodass Standard-SMD-Reflow-Profile und das richtige Bodenmuster empfohlen werden.

Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert und sollte nicht angegeben werden, wo eine Zertifizierung in Automobilqualität erforderlich ist.