Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 500 mW, 3-Pin SC-70

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)*

42,50 €

(ohne MwSt.)

50,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
500 - 5000,085 €42,50 €
1000 - 20000,06 €30,00 €
2500 - 45000,056 €28,00 €
5000 - 120000,053 €26,50 €
12500 +0,042 €21,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
826-9282
Herst. Teile-Nr.:
BSS138WH6433XTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25 mm

Länge

2mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links