Vishay Si1302DL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SI1302DL-T1-E3 SC-70

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655-6795
Herst. Teile-Nr.:
SI1302DL-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

600mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

Si1302DL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

480mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

280mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.86nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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