Vishay Si1302DL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 600 mA 280 mW, 3-Pin SC-70

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
169-6089
Herst. Teile-Nr.:
SI1302DL-T1-E3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

600mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

Si1302DL

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

480mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.86nC

Maximale Verlustleistung Pd

280mW

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links