Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.4 A 500 mW, 3-Pin SC-70

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Herst. Teile-Nr.:
BSS816NWH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

OptiMOS 2

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Breite

1.25 mm

Länge

2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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