Infineon OptiMOS 2N7002DWH6327XTSA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363
- RS Best.-Nr.:
- 827-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- 2N7002DWH6327XTSA1
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- Infineon
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Produktdetails
Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Serie | OptiMOS |
| Gehäusegröße | SOT-363 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
| Verlustleistung max. | 500 mW |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 2mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,4 nC @ 10 V |
| Breite | 1.25mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Höhe | 0.8mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 827-0002
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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