Infineon Isoliert OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

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RS Best.-Nr.:
827-0002
Herst. Teile-Nr.:
2N7002DWH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Durchlassspannung Vf

0.96V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.25 mm

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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