Infineon Isoliert OptiMOS 2 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

RS Best.-Nr.:: 827-0115
Herst. Teile-Nr.:: BSD235NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert OptiMOS 2 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 950 mA 500 mW, 6-Pin SC-88

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Herst. Teile-Nr.:: BSD235NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	950mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	OptiMOS 2
	Gehäusegröße	SC-88
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	600mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.32nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	12V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Breite	1.25mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2mm
	Höhe	0.8mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 950mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie OptiMOS 2
	Gehäusegröße SC-88
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.32nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 12V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Breite 1.25mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2mm
	Höhe 0.8mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 Serie MOSFET, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 600 mΩ maximaler Drain-Source-Widerstand – BSD235NH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein kompakter, oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in Automobil- und Industrieumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät mit einer isolierten Transistorkonfiguration und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine geringe Gate-Ladungsschaltung und eine thermische Beständigkeit bei hohen Temperaturen erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ablassspannung von 20 V ermöglicht sicheres Schalten bei niedriger Spannung
• 600 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 0,32 nC sorgt für schnelles, energiesparendes Schalten
• 950 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützen bescheidene Lastströme
• 500 mW Verlustleistung ermöglichen einen dauerhaften Betrieb unter Last
• Die AEC‐Q101-Qualifikation eignet sich für die Prüfung von Kfz-Elektronik

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Schalten von Versorgungsschienen in Automobilmodulen
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Karosseriesteuerungseinheiten
• Wird für Gate-Treiber und sekundäre Leistungsstufen verwendet
• Kann für das kompakte Energiemanagement in allgegenwärtigen SMD-Designs verwendet werden
• Geeignet für Zweikanal-Schaltung in Sensorschnittstellen

Welche Gate-Drive-Grenzwerte sollten für einen sicheren Betrieb beachtet werden?

Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis maximal 12 V auf

bleiben die Antriebsstromkreise innerhalb dieser Grenze, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Platzierung in Designs aus?

Es arbeitet zwischen -55 °C und 150 °C, sodass es in der Nähe wärmeerzeugender Komponenten platziert werden kann, aber trotzdem thermische Berücksichtigung für die Leiterplatten-Kupferfläche und den Luftstrom erforderlich ist, um eine Verlustleistung von 500 mW zu bewältigen.

Wie viele diskrete Elemente sind auf der Matrize vorhanden?

Der Chip enthält zwei Elemente, die nützlich sind, wenn gepaarte Schaltkanäle in einem einzigen Gehäuse benötigt werden.

Welche physischen Gehäusebeschränkungen beeinflussen das Leiterplatten-Layout?

Die Komponente wird in einem SC-88-Gehäuse mit sechs Stiften geliefert, sodass die Grundfläche der Planung dem kleinen SMD-Pin-Array und dem Spiel für Lötfilets gerecht werden muss.