onsemi NTE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 915 mA 300 mW, 3-Pin SC-89

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

9,40 €

(ohne MwSt.)

11,19 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 53 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Packung(en)
Pro Packung
Pro Stück*
1 - 49,40 €0,094 €
5 - 98,10 €0,081 €
10 +7,02 €0,07 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
184-1203
Herst. Teile-Nr.:
NTE4153NT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

915mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

NTE

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.82nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.95 mm

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Kleinsignal-MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm Single N-Kanal SC-89 mit ESD-Schutz

Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz

Niedrige Schwellenspannung, 1,5 V Nennspannung

ESD-geschütztes Gate

Anwendungen:

Last-/Netzschalter

Netzteil-Wandlerschaltungen

Batteriemanagement

Tragbare Geräte wie Mobiltelefone, PDAs, Digitalkameras, Pager usw.

Verwandte Links