onsemi NDS352AP NDS352AP P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie

• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung

Die on Semiconductor NDS352AP ist ein P-Kanal Logikebenen-Anreicherungs-Modus, Power Field Effect Transistoren werden mit hoher Zelldichte, DMOS-Technologie hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des Durchlasswiderstands zugeschnitten.

Außergewöhnlicher Widerstand im eingeschalteten Zustand und maximale DC-Strombelastbarkeit
SOT-23-SMD-Gehäuse nach Industriestandard

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.