onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 178-7591
Herst. Teile-Nr.:: NDS352AP
Marke:: onsemi

onsemi NDS352AP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: NDS352AP
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	900mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	NDS352AP
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	500mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.92mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.94mm
	Breite	1.4 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 900mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie NDS352AP
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.92mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.94mm
	Breite 1.4 mm
	Automobilstandard Nein

Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3- SuperSOT

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.