- RS Best.-Nr.:
- 178-7591
- Herst. Teile-Nr.:
- NDS352AP
- Marke:
- onsemi
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3000 + | 0,128 € | 384,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-7591
- Herst. Teile-Nr.:
- NDS352AP
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
Zelldesign mit hoher Dichte
Hoher Sättigungsstrom
Hervorragende Schaltleistung
Große robuste und zuverlässige Leistung
DMOS-Technologie
Zelldesign mit hoher Dichte
Hoher Sättigungsstrom
Hervorragende Schaltleistung
Große robuste und zuverlässige Leistung
DMOS-Technologie
Anwendungen:
Lastschaltung
DC/DC-Wandler
Batterieschutz
Stromüberwachungssteuerung
Gleichstrommotor-Steuerung
DC/DC-Wandler
Batterieschutz
Stromüberwachungssteuerung
Gleichstrommotor-Steuerung
Die on Semiconductor NDS352AP ist ein P-Kanal Logikebenen-Anreicherungs-Modus, Power Field Effect Transistoren werden mit hoher Zelldichte, DMOS-Technologie hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell auf die Minimierung des Durchlasswiderstands zugeschnitten.
Außergewöhnlicher Widerstand im eingeschalteten Zustand und maximale DC-Strombelastbarkeit
SOT-23-SMD-Gehäuse nach Industriestandard
SOT-23-SMD-Gehäuse nach Industriestandard
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 900 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Serie | NDS352AP |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,5 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 20V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
Verlustleistung max. | 500 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2 nC @ 4,5 V |
Länge | 2.92mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 1.4mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 0.94mm |
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