onsemi BSS84 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 166-2408
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84
- Marke:
- onsemi
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- BSS84
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS84 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS84 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Eigenschaften und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter
• Zelldesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Hervorragende Schaltleistung
• Große robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromüberwachungssteuerung
• Gleichstrommotor-Steuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.