onsemi BVSS8L Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 225 mW, 3-Pin BVSS84LT1G SOT-23

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184-4729
Herst. Teile-Nr.:
BVSS84LT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Serie

BVSS8L

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

225mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.2nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
MOSFET für die Automobilindustrie, ideal für Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. -50V -130mA 10 Ohm Single-P-Kanal SOT-23 Logikpegel. PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

AEC-Zulassung

PPAP-fähig

Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine

Automobil-MOSFET

Anwendungen

DC/DC-Wandler

Schalten von Lasten

Energieverwaltung für tragbare und batteriebetriebene Produkte wie Computer, Drucker, Mobiltelefone und schnurlose Telefone

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