onsemi BVSS84LT1G P-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 130 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 184-4729
- Herst. Teile-Nr.:
- BVSS84LT1G
- Marke:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- BVSS84LT1G
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET für die Automobilindustrie, ideal für Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. -50V -130mA 10 Ohm Single-P-Kanal SOT-23 Logikpegel. PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
AEC-Zulassung
PPAP-fähig
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Automobil-MOSFET
Anwendungen
DC/DC-Wandler
Schalten von Lasten
Energieverwaltung für tragbare und batteriebetriebene Produkte wie Computer, Drucker, Mobiltelefone und schnurlose Telefone
PPAP-fähig
Mini-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Automobil-MOSFET
Anwendungen
DC/DC-Wandler
Schalten von Lasten
Energieverwaltung für tragbare und batteriebetriebene Produkte wie Computer, Drucker, Mobiltelefone und schnurlose Telefone
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 130 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.9V |
| Verlustleistung max. | 225 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,2 nC @ 10 V |
| Breite | 1.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 3.04mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 1.01mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Diodendurchschlagsspannung | 2.2V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |