onsemi BVSS138LT1G N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 184-4196
- Herst. Teile-Nr.:
- BVSS138LT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 184-4196
- Herst. Teile-Nr.:
- BVSS138LT1G
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET für die Automobilindustrie, ideal für Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme. 50 V, 200 mA, 3,5 Ohm, ein N-Kanal, SOT-23, Logikpegel, pb-frei. PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Niedrige Schwellenspannung (VGS(th): 0,5 V-1,5 V)
SMD-Miniaturgehäuse
Einfach zu fahren mit niedrigen Spannungen
Es spart Platz auf der Platine
Anwendungen
Schalter für niedrige Leistung
Digitaler Schalter
Alle gängigen Anwendungen im Automobilbereich
Endprodukte
Infotainment (Unterhaltungs-, Multimedia- und Navigationssysteme usw.)
Karosseriesteuermodule (BCM, Funkferntasten, Gateways, LF-Systeme, HLK usw.)
Sicherheitssysteme
SMD-Miniaturgehäuse
Einfach zu fahren mit niedrigen Spannungen
Es spart Platz auf der Platine
Anwendungen
Schalter für niedrige Leistung
Digitaler Schalter
Alle gängigen Anwendungen im Automobilbereich
Endprodukte
Infotainment (Unterhaltungs-, Multimedia- und Navigationssysteme usw.)
Karosseriesteuermodule (BCM, Funkferntasten, Gateways, LF-Systeme, HLK usw.)
Sicherheitssysteme
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.85V |
| Verlustleistung max. | 225 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.04mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
| Höhe | 1.01mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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