onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
124-1706
Herst. Teile-Nr.:
FDS4435BZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

FDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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