onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin FDS4435BZ SOIC

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

4,07 €

(ohne MwSt.)

4,845 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 190 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 85 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 12.560 Einheit(en) mit Versand ab 14. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 450,814 €4,07 €
50 - 950,70 €3,50 €
100 - 4950,608 €3,04 €
500 - 9950,536 €2,68 €
1000 +0,488 €2,44 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0508
Herst. Teile-Nr.:
FDS4435BZ
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

FDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links