onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Lot MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SI4435DY SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

8,58 €

(ohne MwSt.)

10,21 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Die letzten 3.980 Einheit(en) mit Versand ab 13. Januar 2026
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,858 €8,58 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
903-4412
Herst. Teile-Nr.:
SI4435DY
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Lot

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

4.9mm

Höhe

1.57mm

Breite

3.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links