onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 47 A 160 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

103,80 €

(ohne MwSt.)

123,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 2002,076 €103,80 €
250 - 4502,022 €101,10 €
500 +1,973 €98,65 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-1758
Herst. Teile-Nr.:
FQP47P06
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

84nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-4V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.1mm

Höhe

9.4mm

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links