onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage P-Kanal-QFET-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.7 A 85 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
671-5118
Herst. Teile-Nr.:
FQP3P50
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Serie

QFET

Kabelkanaltyp

Typ P

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

P-Kanal-QFET-MOSFET

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500 V

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.7 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

85 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

-5 V

Höhe

9.4 mm

Länge

10.1 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.9 Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18 nC

Breite

4.7 mm

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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