onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage P-Kanal-QFET-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.7 A 85 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
671-5118
Herst. Teile-Nr.:
FQP3P50
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

P-Kanal-QFET-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

QFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

85W

Betriebstemperatur min.

55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

-5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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