onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage P-Kanal-QFET-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.7 A 85 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-5118
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP3P50
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 671-5118
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP3P50
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Serie | QFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | P-Kanal-QFET-MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 500 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 2.7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 85 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | -5 V | |
| Höhe | 9.4 mm | |
| Länge | 10.1 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 4.9 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | 55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 18 nC | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Serie QFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ P-Kanal-QFET-MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 500 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 2.7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 85 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) -5 V | ||
Höhe 9.4 mm | ||
Länge 10.1 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 4.9 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. 55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 18 nC | ||
Breite 4.7 mm | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi Einfach QFET N-Kanal 1 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi Einfach QFET N-Kanal 1 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi Einfach QFET N-Kanal 1 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal 3-Pin TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal 3-Pin TO-220AB