onsemi Einfach QFET Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 4.5 A, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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Eingestellt
RS Best.-Nr.:
145-4529
Herst. Teile-Nr.:
FQP5N60C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

QFET

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-30/30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

9.4mm

Breite

4.7 mm

Länge

10.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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