onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 137 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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Vishay SUP75N06-08-E3 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 75 A 3700 mW, 3-Pin TO-220AB
RS Best.-Nr.
708-5162

Stück (In einer VPE à 5)

2,344 €

(ohne MwSt.)

2,789 €

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
671-4862
Herst. Teile-Nr.:
FDP75N08A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

UniFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

137W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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