Infineon Einfach IRF1407PbF Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 75 V Erweiterung / 130 A 330 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
170-2243
Herst. Teile-Nr.:
IRF1407PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

IRF1407PbF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

16.51mm

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diese Streifen-Planar-Konstruktion von HEXFET®-Leistungs-MOSFETs verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand in eingeschaltetem Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses HEXFET-Leistungs-MOSFET sind eine Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Vorteile machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Vorteile:Niedriger RDS (EIN)Dynamische dv/dt-BewertungSchnelle SchaltgeschwindigkeitBetriebstemperatur von 175 °CZielanwendungsbereiche:Vollbrücke für VerbraucherVollbrückePush-Pull

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