Teile-Nr.

Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 124-2412
Herst. Teile-Nr.:: PSMN3R0-60PS,127
Marke:: Nexperia

Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

Bestandsabfrage aktuell nicht möglich

RS Best.-Nr.:: 124-2412
Herst. Teile-Nr.:: PSMN3R0-60PS,127
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	100 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	TO-220AB
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	4V
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	306 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	130 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	10.3mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	4.7mm
	Höhe	16mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 100 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße TO-220AB
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 3 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 4V
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 306 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 130 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 10.3mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 4.7mm
	Höhe 16mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

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