Nexperia N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 306 W, 3-Pin TO-220AB

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
124-2412
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R0-60PS,127
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

306 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

130 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.3mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.7mm

Höhe

16mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia



MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Verwandte Links