ROHM EM6K7 Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 20 V / 200 mA 150 mW, 6-Pin EM6K7T2R SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 124-6574
- Herst. Teile-Nr.:
- EM6K7T2R
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Serie | EM6K7 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Länge | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Serie EM6K7 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.5mm | ||
Länge 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.2 mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
Zweifach-N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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