Toshiba N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 180 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 171-2408
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N35FE
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N35FE
- Marke:
- Toshiba
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 150 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | ±10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 1.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Höhe | 0.55mm | |
Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 180 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 150 mW | ||
Gate-Source Spannung max. ±10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 1.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Höhe 0.55mm | ||