Toshiba SSM6N35FE N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 180 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 171-2408
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N35FE
- Marke:
- Toshiba
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|---|---|---|
| 4000 + | 0,047 € | 188,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2408
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N35FE
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
1,2-V-AnsteuerungN-Kan 2-in-1Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RON = 20 Ω (max.) (@ VGS = 1,2 V)RON = 8 Ω (max.) (@ VGS = 1,5 V)RON = 4 Ω (max.) (@ VGS = 2,5 V)RON = 3 Ω (max.) (@ VGS = 4,0 V)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 180 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Gehäusegröße | SOT-563 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V |
| Verlustleistung max. | 150 mW |
| Gate-Source Spannung max. | ±10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.6mm |
| Länge | 1.2mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Höhe | 0.55mm |
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