Toshiba Einfach Typ N-Kanal, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-2399
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K333R
- Marke:
- Toshiba
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- SSM3K333R
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.8mm | ||
- Ursprungsland:
- TH
4,5-V-Antrieb
Niedriger Einschaltwiderstand: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@ VGS = 10 V)