Toshiba Einfach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 171-2399
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K333R
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 171-2399
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K333R
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 6 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 2 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Höhe | 800 μm | |
| Länge | 2.9 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 42 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 6 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 2 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Höhe 800 μm | ||
Länge 2.9 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 42 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Breite 1.8 mm | ||
- Ursprungsland:
- TH
4.5V drive
Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)