Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

414,00 €

(ohne MwSt.)

492,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 15.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 30000,138 €414,00 €
6000 - 60000,132 €396,00 €
9000 +0,124 €372,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
171-2402
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K339R
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.7mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Stromversorgungsschalter

DC/DC-Wandler

Gate-Ansteuerungsspannung 1,8 V

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@ VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@ VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@ VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@ VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

Verwandte Links