Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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171-2471
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K339R
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

390mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.8 mm

Länge

2.9mm

Höhe

0.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Stromversorgungsschalter

DC/DC-Wandler

Gate-Ansteuerungsspannung 1,8 V

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@ VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@ VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@ VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@ VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

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