DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.38 A 530 mW, 6-Pin SOT-563

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RS Best.-Nr.:
822-2510
Herst. Teile-Nr.:
DMG1024UV-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

530mW

Durchlassspannung Vf

700mV

Gate-Source-spannung max Vgs

-6V, +6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

736.6nC

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Länge

1.7mm

Breite

1.25mm

Höhe

600μm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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