DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.38 A 530 mW, 6-Pin SOT-563

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Herst. Teile-Nr.:
DMG1024UV-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

736.6nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Verlustleistung Pd

530mW

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.25 mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Höhe

0.6mm

Länge

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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