DiodesZetex Doppelt DMG1023 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.03 A 530 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 206-0067
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1023UVQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMG1023UVQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.03A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMG1023 | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 622.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 530W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.03A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMG1023 | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 622.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 530W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 20-V-MOSFET mit komplementäragem Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,53 W.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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