DiodesZetex Doppelt DMG1023 Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 1.03 A 530 W, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 206-0066
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1023UVQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 206-0066
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG1023UVQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.03A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMG1023 | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 622.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 530W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Länge | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.03A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMG1023 | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 622.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 530W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.2 mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Länge 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 20-V-MOSFET mit komplementäragem Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,53 W.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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