onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Kleines Signal 20 V Erweiterung / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563 NTZD3154NT1G

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184-1406
Herst. Teile-Nr.:
NTZD3154NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Kleines Signal

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

540mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

7 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

1.3 mm

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dies ist ein 20-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET.

Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz

Niedrige Schwellenspannung

Kleine Abmessungen: 1,6 x 1,6 mm

ESD-geschütztes Gate

Anwendungen:

Last-/Netzschalter

Netzteil-Wandlerschaltungen

Batteriemanagement

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