onsemi NTZS3151P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 950 mA 210 mW, 6-Pin NTZS3151PT1G SOT-563

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Herst. Teile-Nr.:
NTZS3151PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

950mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

NTZS3151P

Gehäusegröße

SOT-563

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

210mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.7mm

Höhe

0.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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