Toshiba N-Kanal 2, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 180 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 171-2510
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N35FE
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N35FE
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Länge | 1.2mm | |
| Breite | 1.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.55mm | ||
Länge 1.2mm | ||
Breite 1.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
- Ursprungsland:
- TH
1,2-V-Antrieb
N-Kanal 2-in-1
Niedriger Ein-Widerstand: Ron = 20 Ω (max.) (bei VGS = 1,2 V)
Ron = 8 Ω (max.) (bei VGS = 1,5 V)
Ron = 4 Ω (max.) (bei VGS = 2,5 V)
Ron = 3 Ω (max.) (bei VGS = 4,0 V)
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