ROHM RE1C001UN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 100 mA 150 mW, 3-Pin SC-75

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Herst. Teile-Nr.:
RE1C001UNTCL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-75

Serie

RE1C001UN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-8, +8V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

150mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Breite

0.96mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

1.7mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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